存储芯片将迎“开年第一涨”。据《台湾电子时报》近日报道，三星、美光两家存储芯片大厂日前正规划在2024年一季度将DRAM芯片价格调涨15%-20%，从1月起执行。市场上部分厂商已收到了三星的涨价预告。“存储三巨头”中的另一家SK海力士去年10月已官宣涨价，计划将卖给厂商客户的DRAM、NAND Flash芯片合约价上调10%-20%。据《台湾经济日报》上月底报道，NAND芯片报价仍未达到厂商盈亏平衡点，短期内或将再迎来高达50%的“暴力涨价”。
尽管存储芯片涨价消息不绝于耳，但从二级市场表现来看，佰维存储今年首个交易日（1月2日）股价提前20CM跌停，1月3日无视涨价利好收盘大跌近11%。拉长时间来看，佰维存储自去年6月历史高点迄今股价累计最大跌幅达65.41%，兆易创新、好上好、精智达、万润科技和精测电子自去年高点迄今股价累计最大跌幅分别达46.75%、47.33%、39.65%、39.50%和30.36%。
▌曾经的7倍大牛股佰维存储“提前”20CM跌停 500亿龙头兆易创新跌破去年“业绩底” 分析人士指出此次上涨由减产计划扭转而来并非需求复苏拉动
佰维存储周五收盘跌近4%，开年以来公司股价加速下跌迄今累计最大跌幅达37.44%。据《台湾电子时报》1月3日报道称三星和美光规划在2024年一季度将DRAM芯片价格调涨15%-20%，佰维存储1月2日股价提前20CM跌停，次日无视涨价利好收盘大跌近11%。拉长时间来看，上市即将满13个月的佰维存储股价累计最大涨幅达678%，但自去年6月历史高点以来累计最大跌幅近七成（65.41%）。
佰维存储在1月3日发布的机构调研公告中表示，公司9月单月营收已接近5亿元，Q4业绩进一步回升向好，毛利率迅速提升。从在手订单情况看，预计2024年Q1将会延续这样的态势。据公司上市后的首份三季报来看，前三季度净利巨亏约4.84亿元，同比盈转亏。
数据显示，佰维存储存储产品业务营收占比约92%。公司是业内少数的研发封测一体化存储厂商，自建封测厂以满足自身的NAND与DRAM存储芯片及模组的封测制造需求。此外，佰维存储的企业级SSD和服务器内存条可应用于算力服务器，公司高端的存储芯片包括用于智能手表、AR/VR等旗舰穿戴产品ePOP存储芯片，面向中高端手机的UFS3.1、LPDDR5、uMCP存储芯片等。
与佰维存储一样，兆易创新1月3日股价收盘大跌超4%，跌穿去年8月底的股价低点。彼时兆易创新披露的半年报显示上半年净利润3.36亿元，在线炒股杠杆配资公司同比下降78%。拉长时间来看，兆易创新自2021年历史高点迄今股价累计最大跌幅达67.32%。
东海证券9月6日研报显示，兆易创新2022年存储芯片营收为48.26亿元，业务营收占比近七成。兆易创新形成NOR、NAND和DRAM三大存储芯片的全平台布局，国元证券2023年11月研报指出，据Web-Feet Research报告，公司2022年Serial NOR Flash市占率增至20%，排名全球第三、大陆厂商第一。DRAM方面，公司与长鑫存储密切合作，积极切入利基型DRAM市场，已推出DDR4、DDR3L产品，在消费电子（机顶盒、电视、智能家居等）、工业、网络通信等领域取得较好营收，DDR4 8Gb新品按研发节奏推进中。未来预计DRAM将逐渐转向以自研为主、附加值较低的代销DRAM占比将逐渐下降，有利于公司盈利能力持续改善。此外，在NAND Flash产品方面，公司NAND Flash产品属于SLC NAND，产品容量从1Gb至8Gb覆盖主流容量类型，电压涵盖1.8V和3.3V，提供传统并行接口和新型SPI接口两个产品系列。
分析人士指出，存储市场新年伊始的这次上涨并非由需求复苏拉动，而是靠芯片厂过去一年执行的减产计划强势扭转而来。由于存储芯片巨头的持续减产，DRAM、NAND价格在2023年第四季度止跌并迎来反转。由此可见，行业产能下调才是推动次轮存储芯片价格上涨的主要原因。
另有产业链人士表示，减产是原厂不得已为之，在这轮调整中，上游存储大厂面临着亏损和高库存的双重压力，只能通过减产来重新平衡供需关系。但最终还是要看下游需求，供需关系不是一下子能反转过来的。
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